Sensori optoelettronici | Tecnosens S.p.a. Sensori

Sensori optoelettronici

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Prodotto	Descrizione	Dimensioni	Half Angle (deg)	Lunghezza d'onda	Package	Potenza di Uscita (mW)	Temperatura di funzionamento	Tensione Diretta Tipica (V)	Tipologia	Chip Material	Lunghezza D'onda (nm)	Potenza di Uscita @If(mA)	Peak sens. wavelenght (nm)	Sensitive Area (mm)	Short circuit current (µA)	Short circuit current (lx)	Colore	Colore Resina	Diametro Esterno (mm)	Intensità Luminosa (mcd)	Tensione Diretta Max. (V)	Photo Current Vce = 5 V
Confronta	NS275L-6DFG Nitride Semiconductor - LED Deep UV	Dimensioni 6.3 x 6.3 x 1.8	Half Angle (deg) 120	Lunghezza d'onda 270-280 nm	Package Surface mount	Potenza di Uscita (mW) 19	Temperatura di funzionamento -30 ~ +60 °C	Tensione Diretta Tipica (V) 7.0	Tipologia Ultra Violet LEDs
Confronta	NSxxxL-3SVR Nitride Semiconductor - LED UV	Dimensioni 3.5 x 3.5 x 2.0	Half Angle (deg) 120	Lunghezza d'onda 380-390 nm 390-400 nm 400-410 nm	Package Surface mount	Potenza di Uscita (mW) 1200 1100	Temperatura di funzionamento -10 ~ +85 °C	Tensione Diretta Tipica (V) 3.6 3.5	Tipologia Ultra Violet LEDs
Confronta	KEDE1452H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED		Half Angle (deg) 20		Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita (mW) 2.8			Tipologia Infrared LEDs	Chip Material InGaAsP	Lunghezza D'onda (nm) 1450	Potenza di Uscita @If(mA) 50
Confronta	KEDE1552H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED		Half Angle (deg) 20		Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita (mW) 1.8			Tipologia Infrared LEDs	Chip Material InGaAsP	Lunghezza D'onda (nm) 1550	Potenza di Uscita @If(mA) 50
Confronta	KEDE1652H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED		Half Angle (deg) 20		Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita (mW) 2			Tipologia Infrared LEDs	Chip Material InGaAsP	Lunghezza D'onda (nm) 1650	Potenza di Uscita @If(mA) 50
Confronta	KPD1803K Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi		Half Angle (deg) 120		Package TO-18, epoxy lens				Tipologia Silicon Photodiodes				Peak sens. wavelenght (nm) 840	Sensitive Area (mm) 1.30 x 1.60	Short circuit current (µA) 24	Short circuit current (lx) 1000
Confronta	KPD30S Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi		Half Angle (deg) 120		Package Surface mount				Tipologia Silicon Photodiodes				Peak sens. wavelenght (nm) 950	Sensitive Area (mm) 2.59 x 2.59	Short circuit current (µA) 68	Short circuit current (lx) 1000
Discontinued Confronta	KED661M51 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Plastic Mold LEDs for sensors, colore Rosso, Kyosemi Photodevices for sensors		Half Angle (deg) 20		Package M51	Potenza di Uscita (mW) 4		Tensione Diretta Tipica (V) 1.8	Tipologia Plastic Mold LEDs for Sensors	Chip Material GaAIAs	Lunghezza D'onda (nm) 660	Potenza di Uscita @If(mA) 20					Colore Rosso	Colore Resina Clear	Diametro Esterno (mm) ⌀5	Intensità Luminosa (mcd) 1000	Tensione Diretta Max. (V) 2.3
Discontinued Confronta	KPD3065C Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi		Half Angle (deg) 120		Package ϕ 6,5 ceramic, epoxy lens				Tipologia Silicon Photodiodes				Peak sens. wavelenght (nm) 950	Sensitive Area (mm) 2.59 x 2.59	Short circuit current (µA) 70	Short circuit current (lx) 1000
Discontinued Confronta	KPT801C Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Phototransistor, Kyosemi		Half Angle (deg) 120		Package ϕ3 ceramic, epoxy lens				Tipologia Silicon Phototransistors				Peak sens. wavelenght (nm) 800	Sensitive Area (mm) 0.64 x 0.64								Photo Current Vce = 5 V 4 (mA) 1000 (lx)