Sensori optoelettronici | Tecnosens S.p.a. Sensori

Sensori optoelettronici

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Prodotto	Descrizione	Lunghezza d'onda	Output	Package	Tipologia	Half Angle (deg)	Peak sens. wavelenght (nm)	Responsività (mA/W) @λ(nm)	Sensitive Area (mm)
Confronta	GUVB-T11GD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio di alluminio	Lunghezza d'onda 220-320 nm	Output Corrente	Package TO-46	Tipologia AlGaN Photodiodes
Confronta	GUVC-T10GD-L185 Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio di alluminio	Lunghezza d'onda 185 nm	Output Corrente	Package TO-46	Tipologia AlGaN Photodiodes
Confronta	GUVC-T1xGD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio di alluminio	Lunghezza d'onda 220-280 nm	Output Corrente	Package TO-46	Tipologia AlGaN Photodiodes
Confronta	GVBL-T12GD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio indio	Lunghezza d'onda 330-445 nm	Output Corrente	Package TO-46	Tipologia InGaN Photodiodes
Confronta	GVGR-T11GD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio indio	Lunghezza d'onda 295-505 nm	Output Corrente	Package TO-46	Tipologia InGaN Photodiodes
Discontinued Confronta	KPDE86S-H54P Photodevices for Sensors - Detectors, Thermoelectrically Cooled InGaAs-InAs Photodiodes, Kyosemi			Package TO-5, hermetic seal, TE cooler	Tipologia Thermoelectrically Cooled InGaAs-InAs Photodiodes	Half Angle (deg) -	Peak sens. wavelenght (nm) 1600	Responsività (mA/W) @λ(nm) 1000 @ 1550	Sensitive Area (mm) 0.86 x 0.86
Discontinued Confronta	KPDS100-H54P Photodevices for Sensors - Detectors, Thermoelectrically Cooled InGaAs-InAs Photodiodes, Kyosemi			Package TO-5, hermetic seal, TE cooler	Tipologia Thermoelectrically Cooled InGaAs-InAs Photodiodes	Half Angle (deg) -	Peak sens. wavelenght (nm) 3300	Responsività (mA/W) @λ(nm) 1200 @ 3300	Sensitive Area (mm) 1.00 x 1.00