Sensori optoelettronici
Sensori optoelettronici
| Prodotto | Descrizione | Caratteristiche | Dark current Tipica | Package | Sensitive Area (µmɸ) | Tipologia | Chip Material | Half Angle (deg) | Lunghezza D'onda (nm) | Potenza di Uscita @If(mA) | Potenza di Uscita (mW) |
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KPA4-2N Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo Alta sensibilità |
Caratteristiche
Array
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Dark current Tipica
80pA @ 5V
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Package
4ch array with 250µm pitch
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Sensitive Area (µmɸ)
80
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Tipologia
InGaAs Photodiodes
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Discontinued
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KED880S4 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs Infrared LED |
Package
Side view compact package
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Tipologia
Infrared LEDs
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Chip Material
GaAIAs
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Half Angle (deg)
130
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Lunghezza D'onda (nm)
880
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Potenza di Uscita @If(mA)
20
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Potenza di Uscita (mW)
2.5
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