Fotodiodi - Fototransistor | Tecnosens S.p.a. Sensori, Sensori optoelettronici

Fotodiodi - Fototransistor

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Prodotto	Descrizione	Fattore di Amplicazione	Package	Peak sens. wavelenght (nm)	Responsività (mA/W) @λ(nm)	Sensitive Area (µmɸ)	Tipologia	Caratteristiche	Dark current Tipica	Half Angle (deg)
Confronta	KPDA050P-H8 Kyosemi Photodevices for sensors - Detectors, Fotodiodi Effetto Valanga, Silicon Avalanche Photodiodes	Fattore di Amplicazione 150	Package TO-18, hermetic seal	Peak sens. wavelenght (nm) 780	Responsività (mA/W) @λ(nm) 450 @ 850	Sensitive Area (µmɸ) 500	Tipologia Silicon Avalanche Photodiodes
Confronta	KPEIMC-100 Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo Alta sensibilità		Package Chip			Sensitive Area (µmɸ) 80x100	Tipologia InGaAs Photodiodes	Caratteristiche Edge illuminated	Dark current Tipica 35pA @ 5V
Discontinued Confronta	KPDA050-H8 Kyosemi Photodevices for sensors - Detectors, Fotodiodi Effetto Valanga, Silicon Avalanche Photodiodes	Fattore di Amplicazione 150	Package TO-18, hermetic seal	Peak sens. wavelenght (nm) 670	Responsività (mA/W) @λ(nm) 350 @ 800	Sensitive Area (µmɸ) 500	Tipologia Silicon Avalanche Photodiodes
Discontinued Confronta	KPID050D-H8 Photodevices for Sensors - Detectors, High Speed Silicon Photodiodes, Kyosemi		Package TO-18, hermetic seal	Peak sens. wavelenght (nm) 700	Responsività (mA/W) @λ(nm) 350 @ 850	Sensitive Area (µmɸ) 500	Tipologia High Speed Silicon Photodiodes			Half Angle (deg) -
Discontinued Confronta	KPID050M Kyosemi, Optical Communication Devices, Si PIN Photodiodes, Fotodiodo alta velocità		Package Hermetic sealed			Sensitive Area (µmɸ) 500	Tipologia Si PIN Photodiodes	Caratteristiche Si high speed	Dark current Tipica 40pA @ 3V