Sensori optoelettronici
Sensori optoelettronici
| Prodotto | Descrizione | Chip Material | Half Angle (deg) | Lunghezza D'onda (nm) | Package | Potenza di Uscita @If(mA) | Potenza di Uscita (mW) | Tipologia |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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KED372UHB Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Ultra Violet UV Led, InGaN Ultraviolet LED |
Chip Material
InGaN
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Half Angle (deg)
12
|
Lunghezza D'onda (nm)
378
|
Package
TO-18, hermetic seal
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Potenza di Uscita @If(mA)
20
|
Potenza di Uscita (mW)
7.2
|
Tipologia
Ultra Violet LEDs
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KED373UH Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Ultra Violet UV Led, InGaN Ultraviolet LED |
Chip Material
InGaN
|
Half Angle (deg)
100
|
Lunghezza D'onda (nm)
373
|
Package
TO-18, hermetic seal
|
Potenza di Uscita @If(mA)
20
|
Potenza di Uscita (mW)
1.5
|
Tipologia
Ultra Violet LEDs
|
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KED378UH Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Ultra Violet UV Led, InGaN Ultraviolet LED |
Chip Material
InGaN
|
Half Angle (deg)
10
|
Lunghezza D'onda (nm)
373
|
Package
TO-46, hermetic seal
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Potenza di Uscita @If(mA)
20
|
Potenza di Uscita (mW)
1
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Tipologia
Ultra Violet LEDs
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KED530HDB Multi-wavelenght LED |
Chip Material
GaAIAs
|
Half Angle (deg)
60
|
Lunghezza D'onda (nm)
660
|
Package
TO-18, hermetic seal
|
Potenza di Uscita @If(mA)
50
|
Potenza di Uscita (mW)
4
|
Tipologia
Multi Wavelenght LEDs
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KED601H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs High Power Infrared LED |
Chip Material
GaAIAs
|
Half Angle (deg)
14
|
Lunghezza D'onda (nm)
890
|
Package
TO-18, hermetic seal
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Potenza di Uscita @If(mA)
100
|
Potenza di Uscita (mW)
9
|
Tipologia
Infrared LEDs
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KED602K Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Infrared LED |
Chip Material
GaAIAs
|
Half Angle (deg)
45
|
Lunghezza D'onda (nm)
890
|
Package
TO-18, epoxy lens
|
Potenza di Uscita @If(mA)
50
|
Potenza di Uscita (mW)
15
|
Tipologia
Infrared LEDs
|
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KED604H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Infrared LED |
Chip Material
GaAIAs
|
Half Angle (deg)
60
|
Lunghezza D'onda (nm)
890
|
Package
TO-18, hermetic seal
|
Potenza di Uscita @If(mA)
100
|
Potenza di Uscita (mW)
11
|
Tipologia
Infrared LEDs
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KEDE1304H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED |
Chip Material
InGaAsP
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Half Angle (deg)
80
|
Lunghezza D'onda (nm)
1300
|
Package
TO-18, hermetic seal
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Potenza di Uscita @If(mA)
50
|
Potenza di Uscita (mW)
2.5
|
Tipologia
Infrared LEDs
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KEDE1452H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED |
Chip Material
InGaAsP
|
Half Angle (deg)
20
|
Lunghezza D'onda (nm)
1450
|
Package
TO-18, hermetic seal
|
Potenza di Uscita @If(mA)
50
|
Potenza di Uscita (mW)
2.8
|
Tipologia
Infrared LEDs
|
|
KEDE1454H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED |
Chip Material
InGaAsP
|
Half Angle (deg)
80
|
Lunghezza D'onda (nm)
1450
|
Package
TO-18, hermetic seal
|
Potenza di Uscita @If(mA)
50
|
Potenza di Uscita (mW)
2.5
|
Tipologia
Infrared LEDs
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