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Prodotto	Descrizione	Dimensioni	Half Angle (deg)	Lunghezza d'onda	Package	Potenza di Uscita (mW)	Temperatura di funzionamento	Tensione Diretta Tipica (V)	Tipologia	Chip Material	Lunghezza D'onda (nm)	Potenza di Uscita @If(mA)
Confronta	NSxxxL-3SVT Nitride Semiconductor - LED UV	Dimensioni 3.5 x 3.5 x 2.8	Half Angle (deg) 45	Lunghezza d'onda 380-390 nm 390-400 nm 400-410 nm	Package Surface mount	Potenza di Uscita (mW) 1100 1050	Temperatura di funzionamento -10 ~ +85 °C	Tensione Diretta Tipica (V) 3.6 3.5	Tipologia Ultra Violet LEDs
Confronta	KED354RHD Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs Red LED		Half Angle (deg) 45		Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita (mW) 3			Tipologia Red LEDs	Chip Material GaAIAs	Lunghezza D'onda (nm) 660	Potenza di Uscita @If(mA) 20
Confronta	KED602K Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Infrared LED		Half Angle (deg) 45		Package TO-18, epoxy lens	Potenza di Uscita (mW) 15			Tipologia Infrared LEDs	Chip Material GaAIAs	Lunghezza D'onda (nm) 890	Potenza di Uscita @If(mA) 50
Discontinued Confronta	KED351CDL Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs High Power Infrared LED		Half Angle (deg) 145		Package ϕ3 ceramic, epoxy lens	Potenza di Uscita (mW) 6			Tipologia Infrared LEDs	Chip Material GaAIAs	Lunghezza D'onda (nm) 870	Potenza di Uscita @If(mA) 20
Discontinued Confronta	KED661T1 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, AIGaInP Red LED		Half Angle (deg) 145		Package Surface mount	Potenza di Uscita (mW) 14			Tipologia Red LEDs	Chip Material AIGaInP	Lunghezza D'onda (nm) 660	Potenza di Uscita @If(mA) 20
Discontinued Confronta	KED661T2 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, AIGaInP Red LED		Half Angle (deg) 145		Package Surface mount	Potenza di Uscita (mW) 14			Tipologia Red LEDs	Chip Material AIGaInP	Lunghezza D'onda (nm) 660	Potenza di Uscita @If(mA) 20