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Prodotto	Descrizione	Chip Material	Half Angle (deg)	Lunghezza D'onda (nm)	Package	Potenza di Uscita @If(mA)	Potenza di Uscita (mW)	Tipologia
Confronta	KEDE1304H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED	Chip Material InGaAsP	Half Angle (deg) 80	Lunghezza D'onda (nm) 1300	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 2.5	Tipologia Infrared LEDs
Confronta	KEDE1452H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED	Chip Material InGaAsP	Half Angle (deg) 20	Lunghezza D'onda (nm) 1450	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 2.8	Tipologia Infrared LEDs
Confronta	KEDE1454H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED	Chip Material InGaAsP	Half Angle (deg) 80	Lunghezza D'onda (nm) 1450	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 2.5	Tipologia Infrared LEDs
Confronta	KEDE1552H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED	Chip Material InGaAsP	Half Angle (deg) 20	Lunghezza D'onda (nm) 1550	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 1.8	Tipologia Infrared LEDs
Confronta	KEDE1652H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED	Chip Material InGaAsP	Half Angle (deg) 20	Lunghezza D'onda (nm) 1650	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 2	Tipologia Infrared LEDs
Discontinued Confronta	KED080DXH Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Point Source LED, Point-source Infrared LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 110	Lunghezza D'onda (nm) 850	Package TO-46, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 1.0	Tipologia Point Source LEDs
Discontinued Confronta	KED085-P01 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs Infrared LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 130	Lunghezza D'onda (nm) 850	Package Surface mount	Potenza di Uscita @If(mA) 1000		Tipologia Infrared LEDs
Discontinued Confronta	KED351CDL Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs High Power Infrared LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 145	Lunghezza D'onda (nm) 870	Package ϕ3 ceramic, epoxy lens	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 6	Tipologia Infrared LEDs
Discontinued Confronta	KED501C Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAs Infrared LED	Chip Material GaAs	Half Angle (deg) 170	Lunghezza D'onda (nm) 950	Package ϕ3 ceramic, epoxy lens	Potenza di Uscita @If(mA) 40	Potenza di Uscita (mW) 4.5	Tipologia Infrared LEDs
Discontinued Confronta	KED501H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Gas Infrared LED	Chip Material GaAs	Half Angle (deg) 12	Lunghezza D'onda (nm) 950	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 100	Potenza di Uscita (mW) 7.2	Tipologia Infrared LEDs