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LED

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Prodotto	Descrizione	Chip Material	Half Angle (deg)	Lunghezza D'onda (nm)	Package	Potenza di Uscita @If(mA)	Tipologia	Potenza di Uscita (mW)
Discontinued Confronta	KED085-P01 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs Infrared LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 130	Lunghezza D'onda (nm) 850	Package Surface mount	Potenza di Uscita @If(mA) 1000	Tipologia Infrared LEDs
Discontinued Confronta	KED351CDL Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs High Power Infrared LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 145	Lunghezza D'onda (nm) 870	Package ϕ3 ceramic, epoxy lens	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Tipologia Infrared LEDs	Potenza di Uscita (mW) 6
Discontinued Confronta	KED501C Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAs Infrared LED	Chip Material GaAs	Half Angle (deg) 170	Lunghezza D'onda (nm) 950	Package ϕ3 ceramic, epoxy lens	Potenza di Uscita @If(mA) 40	Tipologia Infrared LEDs	Potenza di Uscita (mW) 4.5
Discontinued Confronta	KED501H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Gas Infrared LED	Chip Material GaAs	Half Angle (deg) 12	Lunghezza D'onda (nm) 950	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 100	Tipologia Infrared LEDs	Potenza di Uscita (mW) 7.2
Discontinued Confronta	KED503K Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Infrared LED	Chip Material GaAs	Half Angle (deg) 75	Lunghezza D'onda (nm) 950	Package TO-18, epoxy lens	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Tipologia Infrared LEDs	Potenza di Uscita (mW) 10
Discontinued Confronta	KED504H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Infrared LED	Chip Material GaAs	Half Angle (deg) 85	Lunghezza D'onda (nm) 950	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 100	Tipologia Infrared LEDs	Potenza di Uscita (mW) 8
Discontinued Confronta	KED511H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Gas Infrared LED	Chip Material GaAs	Half Angle (deg) 12	Lunghezza D'onda (nm) 950	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 100	Tipologia Infrared LEDs	Potenza di Uscita (mW) 7.2
Discontinued Confronta	KED602C Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Infrared LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 110	Lunghezza D'onda (nm) 890	Package ϕ3 ceramic, epoxy lens	Potenza di Uscita @If(mA) 40	Tipologia Infrared LEDs	Potenza di Uscita (mW) 6
Discontinued Confronta	KED880S4 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs Infrared LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 130	Lunghezza D'onda (nm) 880	Package Side view compact package	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Tipologia Infrared LEDs	Potenza di Uscita (mW) 2.5
Discontinued Confronta	KEDE1458K Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED	Chip Material InGaAsP	Half Angle (deg) 110	Lunghezza D'onda (nm) 1450	Package TO-46, epoxy lens	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Tipologia Infrared LEDs	Potenza di Uscita (mW) 3