Sensori optoelettronici
Sensori optoelettronici
| Prodotto | Descrizione | Chip Material | Half Angle (deg) | Lunghezza D'onda (nm) | Package | Potenza di Uscita @If(mA) | Potenza di Uscita (mW) | Tipologia | Peak sens. wavelenght (nm) | Sensitive Area (mm) | Short circuit current (µA) | Short circuit current (lx) | Colore | Colore Resina | Diametro Esterno (mm) | Intensità Luminosa (mcd) | Tensione Diretta Max. (V) | Tensione Diretta Tipica (V) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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KED308HQ Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Parallel Beam LED, GaAIAs Parallel Beam Infrared LED |
Chip Material
GaAIAs
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Half Angle (deg)
12
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Lunghezza D'onda (nm)
870
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Package
TO-46, hermetic seal
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Potenza di Uscita @If(mA)
50
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Potenza di Uscita (mW)
12
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Tipologia
Parallel Beam LEds
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KED351HDL Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs High Power Infrared LED |
Chip Material
GaAIAs
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Half Angle (deg)
12
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Lunghezza D'onda (nm)
870
|
Package
TO-18, hermetic seal
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Potenza di Uscita @If(mA)
20
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Potenza di Uscita (mW)
4
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Tipologia
Infrared LEDs
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KED372UH Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Ultra Violet UV Led, InGaN Ultraviolet LED |
Chip Material
InGaN
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Half Angle (deg)
12
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Lunghezza D'onda (nm)
373
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Package
TO-18, hermetic seal
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Potenza di Uscita @If(mA)
20
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Potenza di Uscita (mW)
1.5
|
Tipologia
Ultra Violet LEDs
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KED372UHB Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Ultra Violet UV Led, InGaN Ultraviolet LED |
Chip Material
InGaN
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Half Angle (deg)
12
|
Lunghezza D'onda (nm)
378
|
Package
TO-18, hermetic seal
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Potenza di Uscita @If(mA)
20
|
Potenza di Uscita (mW)
7.2
|
Tipologia
Ultra Violet LEDs
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KPD1203K Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi |
Half Angle (deg)
140
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Package
TO-18, epoxy lens
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Tipologia
Silicon Photodiodes
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Peak sens. wavelenght (nm)
880
|
Sensitive Area (mm)
0.92 x 0.92
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Short circuit current (µA)
11
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Short circuit current (lx)
1000
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Discontinued
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KED501H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Gas Infrared LED |
Chip Material
GaAs
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Half Angle (deg)
12
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Lunghezza D'onda (nm)
950
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Package
TO-18, hermetic seal
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Potenza di Uscita @If(mA)
100
|
Potenza di Uscita (mW)
7.2
|
Tipologia
Infrared LEDs
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|
Discontinued
|
KED511H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Gas Infrared LED |
Chip Material
GaAs
|
Half Angle (deg)
12
|
Lunghezza D'onda (nm)
950
|
Package
TO-18, hermetic seal
|
Potenza di Uscita @If(mA)
100
|
Potenza di Uscita (mW)
7.2
|
Tipologia
Infrared LEDs
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Discontinued
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KED614M31 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Plastic Mold LEDs for sensors, colore Arancione, Kyosemi Photodevices for sensors |
Chip Material
AIGaInP
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Half Angle (deg)
12
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Lunghezza D'onda (nm)
615
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Package
M31
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Potenza di Uscita @If(mA)
20
|
Potenza di Uscita (mW)
3
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Tipologia
Plastic Mold LEDs for Sensors
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Colore
Arancio
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Colore Resina
Clear
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Diametro Esterno (mm)
⌀3
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Intensità Luminosa (mcd)
2100
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Tensione Diretta Max. (V)
2.4
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Tensione Diretta Tipica (V)
2.1
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Discontinued
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KPD101T3 Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi |
Half Angle (deg)
140
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Package
Surface mount
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Tipologia
Silicon Photodiodes
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Peak sens. wavelenght (nm)
850
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Sensitive Area (mm)
0.81 x 0.81
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Short circuit current (µA)
6
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Short circuit current (lx)
1000
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Discontinued
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KPD151T3 Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi |
Half Angle (deg)
140
|
Package
Surface mount
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Tipologia
Silicon Photodiodes
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Peak sens. wavelenght (nm)
850
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Sensitive Area (mm)
1.25 x 1.25
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Short circuit current (µA)
15
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Short circuit current (lx)
1000
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