Sensori optoelettronici | Tecnosens S.p.a. Sensori

Sensori optoelettronici

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Prodotto	Descrizione	Chip Material	Colore	Colore Resina	Diametro Esterno (mm)	Half Angle (deg)	Intensità Luminosa (mcd)	Lunghezza D'onda (nm)	Package	Potenza di Uscita @If(mA)	Potenza di Uscita (mW)	Tensione Diretta Max. (V)	Tensione Diretta Tipica (V)	Tipologia	Peak sens. wavelenght (nm)	Photo Current Vce = 5 V	Sensitive Area (mm)
Discontinued Confronta	KED591M51A Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Plastic Mold LEDs for sensors, colore Giallo, Kyosemi Photodevices for sensors	Chip Material AIGaInP	Colore Giallo	Colore Resina Clear	Diametro Esterno (mm) ⌀5	Half Angle (deg) 36	Intensità Luminosa (mcd) 2300	Lunghezza D'onda (nm) 590	Package M51	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 3.4	Tensione Diretta Max. (V) 2.5	Tensione Diretta Tipica (V) 2.2	Tipologia Plastic Mold LEDs for Sensors
Discontinued Confronta	KED611M51A Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Plastic Mold LEDs for sensors, colore Arancione, Kyosemi Photodevices for sensors	Chip Material AIGaInP	Colore Arancio	Colore Resina Clear	Diametro Esterno (mm) ⌀5	Half Angle (deg) 36	Intensità Luminosa (mcd) 3000	Lunghezza D'onda (nm) 610	Package M51	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 7	Tensione Diretta Max. (V) 2.5	Tensione Diretta Tipica (V) 2.2	Tipologia Plastic Mold LEDs for Sensors
Discontinued Confronta	KPT801H Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Phototransistor, Kyosemi					Half Angle (deg) 17			Package TO-18, hermetic seal					Tipologia Silicon Phototransistors	Peak sens. wavelenght (nm) 800	Photo Current Vce = 5 V 2 (mA) 100 (lx)	Sensitive Area (mm) 0.64 x 0.64
Discontinued Confronta	KPT801HB Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Phototransistor, Kyosemi					Half Angle (deg) 17			Package TO-18, hermetic seal					Tipologia Silicon Phototransistors	Peak sens. wavelenght (nm) 800	Photo Current Vce = 5 V 3 (mA) 100 (lx)	Sensitive Area (mm) 0.64 x 0.64
Discontinued Confronta	KPT811H Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Phototransistor, Kyosemi					Half Angle (deg) 17			Package TO-18, hermetic seal					Tipologia Silicon Phototransistors	Peak sens. wavelenght (nm) 800	Photo Current Vce = 5 V 2 (mA) 100 (lx)	Sensitive Area (mm) 0.64 x 0.64