Sensori optoelettronici | Tecnosens S.p.a. Sensori

Sensori optoelettronici

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Prodotto	Descrizione	Chip Material	Half Angle (deg)	Lunghezza D'onda (nm)	Package	Potenza di Uscita @If(mA)	Potenza di Uscita (mW)	Tipologia	Colore	Colore Resina	Diametro Esterno (mm)	Intensità Luminosa (mcd)	Tensione Diretta Max. (V)	Tensione Diretta Tipica (V)	Peak sens. wavelenght (nm)	Photo Current Vce = 5 V	Sensitive Area (mm)
Confronta	KEDE1304H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED	Chip Material InGaAsP	Half Angle (deg) 80	Lunghezza D'onda (nm) 1300	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 2.5	Tipologia Infrared LEDs
Confronta	KEDE1454H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED	Chip Material InGaAsP	Half Angle (deg) 80	Lunghezza D'onda (nm) 1450	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 2.5	Tipologia Infrared LEDs
Discontinued Confronta	KED571M32 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Plastic Mold LEDs for sensors, colore Giallo Verde, Kyosemi Photodevices for sensors	Chip Material AIGaInP	Half Angle (deg) 80	Lunghezza D'onda (nm) 570	Package M32	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 0.5	Tipologia Plastic Mold LEDs for Sensors	Colore Giallo Verde	Colore Resina Clear	Diametro Esterno (mm) ⌀3	Intensità Luminosa (mcd) 150	Tensione Diretta Max. (V) 2.4	Tensione Diretta Tipica (V) 2.1
Discontinued Confronta	KPT801H Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Phototransistor, Kyosemi		Half Angle (deg) 17		Package TO-18, hermetic seal			Tipologia Silicon Phototransistors							Peak sens. wavelenght (nm) 800	Photo Current Vce = 5 V 2 (mA) 100 (lx)	Sensitive Area (mm) 0.64 x 0.64
Discontinued Confronta	KPT801HB Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Phototransistor, Kyosemi		Half Angle (deg) 17		Package TO-18, hermetic seal			Tipologia Silicon Phototransistors							Peak sens. wavelenght (nm) 800	Photo Current Vce = 5 V 3 (mA) 100 (lx)	Sensitive Area (mm) 0.64 x 0.64
Discontinued Confronta	KPT811H Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Phototransistor, Kyosemi		Half Angle (deg) 17		Package TO-18, hermetic seal			Tipologia Silicon Phototransistors							Peak sens. wavelenght (nm) 800	Photo Current Vce = 5 V 2 (mA) 100 (lx)	Sensitive Area (mm) 0.64 x 0.64