Sensori optoelettronici
Sensori optoelettronici
| Prodotto | Descrizione | Dimensioni | Half Angle (deg) | Lunghezza d'onda | Package | Potenza di Uscita (mW) | Temperatura di funzionamento | Tensione Diretta Tipica (V) | Tipologia | Chip Material | Lunghezza D'onda (nm) | Potenza di Uscita @If(mA) | Peak sens. wavelenght (nm) | Sensitive Area (mm) | Short circuit current (µA) | Short circuit current (lx) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSxxxL-3SVT Nitride Semiconductor - LED UV |
Dimensioni
3.5 x 3.5 x 2.8
|
Half Angle (deg)
45
|
Lunghezza d'onda
380-390 nm
390-400 nm
400-410 nm
|
Package
Surface mount
|
Potenza di Uscita (mW)
1100
1050
|
Temperatura di funzionamento
-10 ~ +85 °C
|
Tensione Diretta Tipica (V)
3.6
3.5
|
Tipologia
Ultra Violet LEDs
|
|||||||
|
KED354RHD Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs Red LED |
Half Angle (deg)
45
|
Package
TO-18, hermetic seal
|
Potenza di Uscita (mW)
3
|
Tipologia
Red LEDs
|
Chip Material
GaAIAs
|
Lunghezza D'onda (nm)
660
|
Potenza di Uscita @If(mA)
20
|
||||||||
|
KED602K Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Infrared LED |
Half Angle (deg)
45
|
Package
TO-18, epoxy lens
|
Potenza di Uscita (mW)
15
|
Tipologia
Infrared LEDs
|
Chip Material
GaAIAs
|
Lunghezza D'onda (nm)
890
|
Potenza di Uscita @If(mA)
50
|
||||||||
|
KPD1201H Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi |
Half Angle (deg)
23
|
Package
TO-18, hermetic seal
|
Tipologia
Silicon Photodiodes
|
Peak sens. wavelenght (nm)
880
|
Sensitive Area (mm)
0.92 x 0.92
|
Short circuit current (µA)
60
|
Short circuit current (lx)
1000
|