Sensori optoelettronici
Sensori optoelettronici
| Prodotto | Descrizione | Chip Material | Half Angle (deg) | Lunghezza D'onda (nm) | Package | Potenza di Uscita @If(mA) | Potenza di Uscita (mW) | Tipologia | Peak sens. wavelenght (nm) | Sensitive Area (mm) | Short circuit current (µA) | Short circuit current (lx) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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KED050HQ Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Parallel Beam LED, GaAIAs Parallel Beam Infrared LED |
Chip Material
GaAIAs
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Half Angle (deg)
7.5
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Lunghezza D'onda (nm)
850
|
Package
TO-46, hermetic seal
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Potenza di Uscita @If(mA)
50
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Potenza di Uscita (mW)
2.4
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Tipologia
Parallel Beam LEds
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KPD1201H Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi |
Half Angle (deg)
23
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Package
TO-18, hermetic seal
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Tipologia
Silicon Photodiodes
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Peak sens. wavelenght (nm)
880
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Sensitive Area (mm)
0.92 x 0.92
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Short circuit current (µA)
60
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Short circuit current (lx)
1000
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