Sensori optoelettronici | Tecnosens S.p.a. Sensori

Sensori optoelettronici

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Prodotto	Descrizione	Caratteristiche	Dark current Tipica	Package	Sensitive Area (µmɸ)	Tipologia	Chip Material	Colore	Colore Resina	Diametro Esterno (mm)	Half Angle (deg)	Intensità Luminosa (mcd)	Lunghezza D'onda (nm)	Potenza di Uscita @If(mA)	Potenza di Uscita (mW)	Tensione Diretta Max. (V)	Tensione Diretta Tipica (V)
Confronta	KPDE10GC-V2 Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo 10 Gbps	Caratteristiche High speed	Dark current Tipica 10pA @ 5V	Package Chip	Sensitive Area (µmɸ) 28	Tipologia InGaAs Photodiodes
Confronta	KPEIMC-100 Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo Alta sensibilità	Caratteristiche Edge illuminated	Dark current Tipica 35pA @ 5V	Package Chip	Sensitive Area (µmɸ) 80x100	Tipologia InGaAs Photodiodes
Confronta	KPEIMC-UDCOM Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo Alta sensibilità	Caratteristiche Edge illuminated	Dark current Tipica 50pA @ 5V	Package Chip	Sensitive Area (µmɸ) 100x120	Tipologia InGaAs Photodiodes
Confronta	KPID150HC Kyosemi, Optical Communication Devices, Si High Speed & High Responsivity Photodiode	Caratteristiche Si high speed	Dark current Tipica 0.8nA @ 10V	Package Chip	Sensitive Area (µmɸ) 1500	Tipologia Si PIN Photodiodes
Discontinued Confronta	KED591M52 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Plastic Mold LEDs for sensors, colore Giallo, Kyosemi Photodevices for sensors			Package M52		Tipologia Plastic Mold LEDs for Sensors	Chip Material AIGaInP	Colore Giallo	Colore Resina Clear	Diametro Esterno (mm) ⌀5	Half Angle (deg) 30	Intensità Luminosa (mcd) 1800	Lunghezza D'onda (nm) 590	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 1.5	Tensione Diretta Max. (V) 2.4	Tensione Diretta Tipica (V) 2.1
Discontinued Confronta	KED861M52 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Plastic Mold LEDs for sensors, colore Infrarosso, Kyosemi Photodevices for sensors			Package M52		Tipologia Plastic Mold LEDs for Sensors	Chip Material GaAIAs	Colore Infrared	Colore Resina Clear	Diametro Esterno (mm) ⌀5	Half Angle (deg) 10	Intensità Luminosa (mcd) -	Lunghezza D'onda (nm) 865	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 22	Tensione Diretta Max. (V) 1.8	Tensione Diretta Tipica (V) 1.5
Discontinued Confronta	KEDE1451M52 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Plastic Mold LEDs for sensors, colore Infrarosso, Kyosemi Photodevices for sensors			Package M52		Tipologia Plastic Mold LEDs for Sensors	Chip Material InGaAsP	Colore Infrared	Colore Resina Clear	Diametro Esterno (mm) ⌀5	Half Angle (deg) 10	Intensità Luminosa (mcd) -	Lunghezza D'onda (nm) 1450	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 2.2	Tensione Diretta Max. (V) 1.3	Tensione Diretta Tipica (V) 0.8
Discontinued Confronta	KPDE005HAn Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo Alta sensibilità	Caratteristiche Array	Dark current Tipica 30pA @ 5V	Package Chip	Sensitive Area (µmɸ) 50	Tipologia InGaAs Photodiodes
Discontinued Confronta	KPDEH16C OPtical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo 25GHz	Caratteristiche High speed	Dark current Tipica 0.5nA @ 2V	Package Chip	Sensitive Area (µmɸ) 16	Tipologia InGaAs Photodiodes
Discontinued Confronta	KPDEH16DC Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo 25GHz	Caratteristiche High speed	Dark current Tipica 0.5nA @ 2V	Package Chip	Sensitive Area (µmɸ) 16	Tipologia InGaAs Photodiodes