Sensori optoelettronici
Sensori optoelettronici
| Prodotto | Descrizione | Chip Material | Half Angle (deg) | Lunghezza D'onda (nm) | Package | Potenza di Uscita @If(mA) | Potenza di Uscita (mW) | Tipologia | Caratteristiche | Dark current Tipica | Sensitive Area (µmɸ) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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KED050CXK Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Point Source LED, Point-source Infrared LED |
Chip Material
GaAIAs
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Half Angle (deg)
125
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Lunghezza D'onda (nm)
850
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Package
TO-46, epoxy lens
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Potenza di Uscita @If(mA)
50
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Potenza di Uscita (mW)
5
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Tipologia
Point Source LEDs
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KPDE10GC-V2 Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo 10 Gbps |
Package
Chip
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Tipologia
InGaAs Photodiodes
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Caratteristiche
High speed
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Dark current Tipica
10pA @ 5V
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Sensitive Area (µmɸ)
28
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KPEIMC-100 Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo Alta sensibilità |
Package
Chip
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Tipologia
InGaAs Photodiodes
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Caratteristiche
Edge illuminated
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Dark current Tipica
35pA @ 5V
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Sensitive Area (µmɸ)
80x100
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KPEIMC-UDCOM Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo Alta sensibilità |
Package
Chip
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Tipologia
InGaAs Photodiodes
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Caratteristiche
Edge illuminated
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Dark current Tipica
50pA @ 5V
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Sensitive Area (µmɸ)
100x120
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KPID150HC Kyosemi, Optical Communication Devices, Si High Speed & High Responsivity Photodiode |
Package
Chip
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Tipologia
Si PIN Photodiodes
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Caratteristiche
Si high speed
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Dark current Tipica
0.8nA @ 10V
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Sensitive Area (µmɸ)
1500
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Discontinued
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KEDE1458K Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED |
Chip Material
InGaAsP
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Half Angle (deg)
110
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Lunghezza D'onda (nm)
1450
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Package
TO-46, epoxy lens
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Potenza di Uscita @If(mA)
50
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Potenza di Uscita (mW)
3
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Tipologia
Infrared LEDs
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Discontinued
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KPDE005HAn Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo Alta sensibilità |
Package
Chip
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Tipologia
InGaAs Photodiodes
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Caratteristiche
Array
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Dark current Tipica
30pA @ 5V
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Sensitive Area (µmɸ)
50
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Discontinued
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KPDEH16C OPtical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo 25GHz |
Package
Chip
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Tipologia
InGaAs Photodiodes
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Caratteristiche
High speed
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Dark current Tipica
0.5nA @ 2V
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Sensitive Area (µmɸ)
16
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Discontinued
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KPDEH16DC Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo 25GHz |
Package
Chip
|
Tipologia
InGaAs Photodiodes
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Caratteristiche
High speed
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Dark current Tipica
0.5nA @ 2V
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Sensitive Area (µmɸ)
16
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Discontinued
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KPDEH16DLC Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes |
Package
Chip
|
Tipologia
InGaAs Photodiodes
|
Caratteristiche
High speed
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Dark current Tipica
0.5nA @ 2V
|
Sensitive Area (µmɸ)
16
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