Sensori optoelettronici
Sensori optoelettronici
| Prodotto | Descrizione | Lunghezza d'onda | Output | Package | Tipologia | Chip Material | Half Angle (deg) | Lunghezza D'onda (nm) | Potenza di Uscita @If(mA) | Potenza di Uscita (mW) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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GUVB-S31GD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio di alluminio |
Lunghezza d'onda
220-320 nm
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Output
Corrente
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Package
SMD 3535
|
Tipologia
AlGaN Photodiodes
|
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GUVC-S10GD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio di alluminio |
Lunghezza d'onda
220-280 nm
|
Output
Corrente
|
Package
SMD 3535
|
Tipologia
AlGaN Photodiodes
|
|||||
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KED050CXH Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Point Source LED, Point-source Infrared LED |
Package
TO-46, hermetic seal
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Tipologia
Point Source LEDs
|
Chip Material
GaAIAs
|
Half Angle (deg)
115
|
Lunghezza D'onda (nm)
850
|
Potenza di Uscita @If(mA)
50
|
Potenza di Uscita (mW)
2.4
|
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|
KED050HQ Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Parallel Beam LED, GaAIAs Parallel Beam Infrared LED |
Package
TO-46, hermetic seal
|
Tipologia
Parallel Beam LEds
|
Chip Material
GaAIAs
|
Half Angle (deg)
7.5
|
Lunghezza D'onda (nm)
850
|
Potenza di Uscita @If(mA)
50
|
Potenza di Uscita (mW)
2.4
|
||
|
KED050HV Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Parallel Beam LED, GaAIAs Parallel Beam Infrared LED |
Package
TO-46, hermetic seal
|
Tipologia
Parallel Beam LEds
|
Chip Material
GaAIAs
|
Half Angle (deg)
6
|
Lunghezza D'onda (nm)
850
|
Potenza di Uscita @If(mA)
50
|
Potenza di Uscita (mW)
2
|
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KED080RAXH Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Point Source LED |
Package
TO-46, hermetic seal
|
Tipologia
Point Source LEDs
|
Chip Material
AIGaInP
|
Half Angle (deg)
115
|
Lunghezza D'onda (nm)
650
|
Potenza di Uscita @If(mA)
20
|
Potenza di Uscita (mW)
0.6
|
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|
KED109Z-N Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Parallel Beam LED, GaAIAs High Power Infrare LED |
Package
TO-46, hermetic seal
|
Tipologia
Parallel Beam LEds
|
Chip Material
GaAIAs
|
Half Angle (deg)
18
|
Lunghezza D'onda (nm)
890
|
Potenza di Uscita @If(mA)
20
|
Potenza di Uscita (mW)
3
|
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KED160RAXH Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Point Source LED |
Package
TO-46, hermetic seal
|
Tipologia
Point Source LEDs
|
Chip Material
AIGaInP
|
Half Angle (deg)
115
|
Lunghezza D'onda (nm)
650
|
Potenza di Uscita @If(mA)
20
|
Potenza di Uscita (mW)
0.8
|
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KED308HQ Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Parallel Beam LED, GaAIAs Parallel Beam Infrared LED |
Package
TO-46, hermetic seal
|
Tipologia
Parallel Beam LEds
|
Chip Material
GaAIAs
|
Half Angle (deg)
12
|
Lunghezza D'onda (nm)
870
|
Potenza di Uscita @If(mA)
50
|
Potenza di Uscita (mW)
12
|
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|
KED308HV Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Parallel Beam LED, GaAIAs Parallel Beam Infrared LED |
Package
TO-46, hermetic seal
|
Tipologia
Parallel Beam LEds
|
Chip Material
GaAIAs
|
Half Angle (deg)
8
|
Lunghezza D'onda (nm)
870
|
Potenza di Uscita @If(mA)
50
|
Potenza di Uscita (mW)
7
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