Sensori optoelettronici
Sensori optoelettronici
| Prodotto | Descrizione | Half Angle (deg) | Package | Peak sens. wavelenght (nm) | Sensitive Area (mm) | Short circuit current (µA) | Short circuit current (lx) | Tipologia | Chip Material | Lunghezza D'onda (nm) | Potenza di Uscita @If(mA) | Potenza di Uscita (mW) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KPD301M4X Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi |
Half Angle (deg)
150
|
Package
Side view, plastic mold
|
Peak sens. wavelenght (nm)
950
|
Sensitive Area (mm)
2.59 x 2.59
|
Short circuit current (µA)
78
|
Short circuit current (lx)
1000
|
Tipologia
Silicon Photodiodes
|
||||
|
Discontinued
|
KED880S4 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs Infrared LED |
Half Angle (deg)
130
|
Package
Side view compact package
|
Tipologia
Infrared LEDs
|
Chip Material
GaAIAs
|
Lunghezza D'onda (nm)
880
|
Potenza di Uscita @If(mA)
20
|
Potenza di Uscita (mW)
2.5
|