Sensori optoelettronici | Tecnosens S.p.a. Sensori

Sensori optoelettronici

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Prodotto	Descrizione	Lunghezza d'onda	Output	Package	Tipologia	Half Angle (deg)	Peak sens. wavelenght (nm)	Sensitive Area (mm)	Short circuit current (µA)	Short circuit current (lx)	Responsività (mA/W) @λ(nm)	Sensitive Area (µmɸ)	Sensitive Wavelenght (nm)
Confronta	GUVB-T11GD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio di alluminio	Lunghezza d'onda 220-320 nm	Output Corrente	Package TO-46	Tipologia AlGaN Photodiodes
Confronta	GUVC-T10GD-L185 Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio di alluminio	Lunghezza d'onda 185 nm	Output Corrente	Package TO-46	Tipologia AlGaN Photodiodes
Confronta	GUVC-T1xGD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio di alluminio	Lunghezza d'onda 220-280 nm	Output Corrente	Package TO-46	Tipologia AlGaN Photodiodes
Confronta	GVBL-T12GD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio indio	Lunghezza d'onda 330-445 nm	Output Corrente	Package TO-46	Tipologia InGaN Photodiodes
Confronta	GVGR-T11GD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio indio	Lunghezza d'onda 295-505 nm	Output Corrente	Package TO-46	Tipologia InGaN Photodiodes
Discontinued Confronta	KPD101M51 Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi			Package ϕ5 plastic mold	Tipologia Silicon Photodiodes	Half Angle (deg) 76	Peak sens. wavelenght (nm) 850	Sensitive Area (mm) 0.81 x 0.81	Short circuit current (µA) 19	Short circuit current (lx) 1000
Discontinued Confronta	KPD104M51 Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi			Package ϕ5 plastic mold	Tipologia Silicon Photodiodes	Half Angle (deg) 40	Peak sens. wavelenght (nm) 850	Sensitive Area (mm) 0.81 x 0.81	Short circuit current (µA) 55	Short circuit current (lx) 1000
Discontinued Confronta	KPD151M53 Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi			Package ϕ5 plastic mold	Tipologia Silicon Photodiodes	Half Angle (deg) 130	Peak sens. wavelenght (nm) 850	Sensitive Area (mm) 1.25 x 1.25	Short circuit current (µA) 16	Short circuit current (lx) 1000
Discontinued Confronta	KPDE0301M51 Photodevices for Sensors - Detectors, InGaAs NIR Photodiodes, Kyosemi			Package ϕ5 plastic mold	Tipologia InGaAs NIR Photodiodes						Responsività (mA/W) @λ(nm) 0.9 @ 1550	Sensitive Area (µmɸ) 300	Sensitive Wavelenght (nm) 900 - 1700