Sensori optoelettronici

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Prodotto	Descrizione	Fattore di Amplicazione	Package	Peak sens. wavelenght (nm)	Responsività (mA/W) @λ(nm)	Sensitive Area (µmɸ)	Tipologia	Caratteristiche	Dark current Tipica
Confronta	KPDA100P-H8 Kyosemi Photodevices for sensors - Detectors, Fotodiodi Effetto Valanga, Silicon Avalanche Photodiodes	Fattore di Amplicazione 150	Package TO-18, hermetic seal	Peak sens. wavelenght (nm) 780	Responsività (mA/W) @λ(nm) 450 @ 850	Sensitive Area (µmɸ) 1000	Tipologia Silicon Avalanche Photodiodes
Confronta	KPDE006 Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo Low Dark Current High Speed		Package Hermetic sealed, Pigtail			Sensitive Area (µmɸ) 60	Tipologia InGaAs Photodiodes	Caratteristiche High speed	Dark current Tipica 30pA @ 2V
Discontinued Confronta	KPDA100-H8 Kyosemi Photodevices for sensors - Detectors, Fotodiodi Effetto Valanga, Silicon Avalanche Photodiodes	Fattore di Amplicazione 150	Package TO-18, hermetic seal	Peak sens. wavelenght (nm) 670	Responsività (mA/W) @λ(nm) 350 @ 660	Sensitive Area (µmɸ) 1000	Tipologia Silicon Avalanche Photodiodes
Discontinued Confronta	KPDG006HAn Kyosemi, Optical Communication Devices, GaAs Photodiodes, GaAs Fotodiodo alta velocità		Package Chip			Sensitive Area (µmɸ) 60	Tipologia GaAs Photodiodes	Caratteristiche Flip-Chip	Dark current Tipica 30pA @ 2V

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