Sensori optoelettronici

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Prodotto	Descrizione	Package	Responsività (mA/W) @λ(nm)	Sensitive Area (µmɸ)	Sensitive Wavelenght (nm)	Tipologia	Caratteristiche	Dark current Tipica
Confronta	KPDE150 Photodevices for Sensors - Detectors, InGaAs NIR Photodiodes, Kyosemi	Package TO-18, hermetic seal	Responsività (mA/W) @λ(nm) 1.0 @ 1550	Sensitive Area (µmɸ) 1500	Sensitive Wavelenght (nm) 900 - 1700	Tipologia InGaAs NIR Photodiodes
Confronta	KPDE006 Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo Low Dark Current High Speed	Package Hermetic sealed, Pigtail		Sensitive Area (µmɸ) 60		Tipologia InGaAs Photodiodes	Caratteristiche High speed	Dark current Tipica 30pA @ 2V
Confronta	KPID150HC Kyosemi, Optical Communication Devices, Si High Speed & High Responsivity Photodiode	Package Chip		Sensitive Area (µmɸ) 1500		Tipologia Si PIN Photodiodes	Caratteristiche Si high speed	Dark current Tipica 0.8nA @ 10V
Discontinued Confronta	KPDG006HAn Kyosemi, Optical Communication Devices, GaAs Photodiodes, GaAs Fotodiodo alta velocità	Package Chip		Sensitive Area (µmɸ) 60		Tipologia GaAs Photodiodes	Caratteristiche Flip-Chip	Dark current Tipica 30pA @ 2V

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