Sensori optoelettronici | Tecnosens S.p.a. Sensori

Sensori optoelettronici

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Prodotto	Descrizione	Half Angle (deg)	Package	Peak sens. wavelenght (nm)	Responsività (mA/W) @λ(nm)	Sensitive Area (µmɸ)	Tipologia	Fattore di Amplicazione	Caratteristiche	Dark current Tipica
Confronta	KPID020D-H8 Photodevices for Sensors - Detectors, High Speed Silicon Photodiodes, Kyosemi	Half Angle (deg) -	Package TO-18, hermetic seal	Peak sens. wavelenght (nm) 700	Responsività (mA/W) @λ(nm) 350 @ 850	Sensitive Area (µmɸ) 200	Tipologia High Speed Silicon Photodiodes
Confronta	KPDA020P-H8 Kyosemi Photodevices for sensors - Detectors, Fotodiodi Effetto Valanga, Silicon Avalanche Photodiodes		Package TO-18, hermetic seal	Peak sens. wavelenght (nm) 780	Responsività (mA/W) @λ(nm) 450 @ 850	Sensitive Area (µmɸ) 200	Tipologia Silicon Avalanche Photodiodes	Fattore di Amplicazione 150
Confronta	KPDE020 Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Fotodiodo Alta sensibilità		Package Hermetic sealed, Pigtail			Sensitive Area (µmɸ) 200	Tipologia InGaAs Photodiodes		Caratteristiche High speed	Dark current Tipica 50pA @ 5V
Confronta	KPDE020-S Kyosemi, Optical Communication Devices, InGaAs Photodiodes, Cap Isolated 2-pin Mini Can InGaAs Fotodiodo		Package Mini can			Sensitive Area (µmɸ) 200	Tipologia InGaAs Photodiodes		Caratteristiche Mini can	Dark current Tipica 400pA (max) @ 5V
Discontinued Confronta	KPDA020-H8 Kyosemi Photodevices for sensors - Detectors, Fotodiodi Effetto Valanga, Silicon Avalanche Photodiodes		Package TO-18, hermetic seal	Peak sens. wavelenght (nm) 670	Responsività (mA/W) @λ(nm) 350 @ 800	Sensitive Area (µmɸ) 200	Tipologia Silicon Avalanche Photodiodes	Fattore di Amplicazione 150
Discontinued Confronta	KPDG020 Kyosemi, Optical Communication Devices, GaAs Photodiodes, GaAs Fotodiodo alta velocità		Package Chip			Sensitive Area (µmɸ) 200	Tipologia GaAs Photodiodes		Caratteristiche Surface illuminated	Dark current Tipica 2.5pA @ 2V
Discontinued Confronta	KPID020D Kyosemi, Optical Communication Devices, Si PIN Photodiodes, Fotodiodo alta velocità		Package Hermetic sealed			Sensitive Area (µmɸ) 200	Tipologia Si PIN Photodiodes		Caratteristiche Si high speed	Dark current Tipica 10pA @ 3V