Sensori optoelettronici | Tecnosens S.p.a. Sensori

Sensori optoelettronici

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Prodotto	Descrizione	Chip Material	Colore	Colore Resina	Diametro Esterno (mm)	Half Angle (deg)	Intensità Luminosa (mcd)	Lunghezza D'onda (nm)	Package	Potenza di Uscita @If(mA)	Potenza di Uscita (mW)	Tensione Diretta Max. (V)	Tensione Diretta Tipica (V)	Tipologia	Peak sens. wavelenght (nm)	Sensitive Area (mm)	Short circuit current (µA)	Short circuit current (lx)	Responsività (mA/W) @λ(nm)	Sensitive Area (µmɸ)	Sensitive Wavelenght (nm)
Discontinued Confronta	KED591M52 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Plastic Mold LEDs for sensors, colore Giallo, Kyosemi Photodevices for sensors	Chip Material AIGaInP	Colore Giallo	Colore Resina Clear	Diametro Esterno (mm) ⌀5	Half Angle (deg) 30	Intensità Luminosa (mcd) 1800	Lunghezza D'onda (nm) 590	Package M52	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 1.5	Tensione Diretta Max. (V) 2.4	Tensione Diretta Tipica (V) 2.1	Tipologia Plastic Mold LEDs for Sensors
Discontinued Confronta	KED861M52 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Plastic Mold LEDs for sensors, colore Infrarosso, Kyosemi Photodevices for sensors	Chip Material GaAIAs	Colore Infrared	Colore Resina Clear	Diametro Esterno (mm) ⌀5	Half Angle (deg) 10	Intensità Luminosa (mcd) -	Lunghezza D'onda (nm) 865	Package M52	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 22	Tensione Diretta Max. (V) 1.8	Tensione Diretta Tipica (V) 1.5	Tipologia Plastic Mold LEDs for Sensors
Discontinued Confronta	KEDE1451M52 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Plastic Mold LEDs for sensors, colore Infrarosso, Kyosemi Photodevices for sensors	Chip Material InGaAsP	Colore Infrared	Colore Resina Clear	Diametro Esterno (mm) ⌀5	Half Angle (deg) 10	Intensità Luminosa (mcd) -	Lunghezza D'onda (nm) 1450	Package M52	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 2.2	Tensione Diretta Max. (V) 1.3	Tensione Diretta Tipica (V) 0.8	Tipologia Plastic Mold LEDs for Sensors
Discontinued Confronta	KPD101M51 Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi					Half Angle (deg) 76			Package ϕ5 plastic mold					Tipologia Silicon Photodiodes	Peak sens. wavelenght (nm) 850	Sensitive Area (mm) 0.81 x 0.81	Short circuit current (µA) 19	Short circuit current (lx) 1000
Discontinued Confronta	KPD104M51 Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi					Half Angle (deg) 40			Package ϕ5 plastic mold					Tipologia Silicon Photodiodes	Peak sens. wavelenght (nm) 850	Sensitive Area (mm) 0.81 x 0.81	Short circuit current (µA) 55	Short circuit current (lx) 1000
Discontinued Confronta	KPD151M53 Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi					Half Angle (deg) 130			Package ϕ5 plastic mold					Tipologia Silicon Photodiodes	Peak sens. wavelenght (nm) 850	Sensitive Area (mm) 1.25 x 1.25	Short circuit current (µA) 16	Short circuit current (lx) 1000
Discontinued Confronta	KPDE0301M51 Photodevices for Sensors - Detectors, InGaAs NIR Photodiodes, Kyosemi								Package ϕ5 plastic mold					Tipologia InGaAs NIR Photodiodes					Responsività (mA/W) @λ(nm) 0.9 @ 1550	Sensitive Area (µmɸ) 300	Sensitive Wavelenght (nm) 900 - 1700