Sensori optoelettronici
Sensori optoelettronici
| Prodotto | Descrizione | Dimensioni | Half Angle (deg) | Lunghezza d'onda | Package | Potenza di Uscita (mW) | Temperatura di funzionamento | Tensione Diretta Tipica (V) | Tipologia | Peak sens. wavelenght (nm) | Sensitive Area (mm) | Short circuit current (µA) | Short circuit current (lx) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NS275L-6DFG Nitride Semiconductor - LED Deep UV |
Dimensioni
6.3 x 6.3 x 1.8
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Half Angle (deg)
120
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Lunghezza d'onda
270-280 nm
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Package
Surface mount
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Potenza di Uscita (mW)
19
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Temperatura di funzionamento
-30 ~ +60 °C
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Tensione Diretta Tipica (V)
7.0
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Tipologia
Ultra Violet LEDs
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NSxxxL-3SVR Nitride Semiconductor - LED UV |
Dimensioni
3.5 x 3.5 x 2.0
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Half Angle (deg)
120
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Lunghezza d'onda
380-390 nm
390-400 nm
400-410 nm
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Package
Surface mount
|
Potenza di Uscita (mW)
1200
1100
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Temperatura di funzionamento
-10 ~ +85 °C
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Tensione Diretta Tipica (V)
3.6
3.5
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Tipologia
Ultra Violet LEDs
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KPD30S Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi |
Half Angle (deg)
120
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Package
Surface mount
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Tipologia
Silicon Photodiodes
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Peak sens. wavelenght (nm)
950
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Sensitive Area (mm)
2.59 x 2.59
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Short circuit current (µA)
68
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Short circuit current (lx)
1000
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