Sensori optoelettronici
Sensori optoelettronici
| Prodotto | Descrizione | Chip Material | Half Angle (deg) | Lunghezza D'onda (nm) | Package | Potenza di Uscita @If(mA) | Potenza di Uscita (mW) | Tipologia | Peak sens. wavelenght (nm) | Sensitive Area (mm) | Short circuit current (µA) | Short circuit current (lx) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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KED353KDL Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs High Power Infrared LED |
Chip Material
GaAIAs
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Half Angle (deg)
42
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Lunghezza D'onda (nm)
870
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Package
TO-18, epoxy lens
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Potenza di Uscita @If(mA)
20
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Potenza di Uscita (mW)
6
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Tipologia
Infrared LEDs
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KPD301M4X Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi |
Half Angle (deg)
150
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Package
Side view, plastic mold
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Tipologia
Silicon Photodiodes
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Peak sens. wavelenght (nm)
950
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Sensitive Area (mm)
2.59 x 2.59
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Short circuit current (µA)
78
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Short circuit current (lx)
1000
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