Sensori optoelettronici
Sensori optoelettronici
| Prodotto | Descrizione | Lunghezza d'onda | Output | Package | Tipologia | Chip Material | Half Angle (deg) | Lunghezza D'onda (nm) | Potenza di Uscita @If(mA) | Potenza di Uscita (mW) | Peak sens. wavelenght (nm) | Sensitive Area (mm) | Short circuit current (µA) | Short circuit current (lx) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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GUVB-T11GD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio di alluminio |
Lunghezza d'onda
220-320 nm
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Output
Corrente
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Package
TO-46
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Tipologia
AlGaN Photodiodes
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GUVC-T10GD-L185 Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio di alluminio |
Lunghezza d'onda
185 nm
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Output
Corrente
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Package
TO-46
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Tipologia
AlGaN Photodiodes
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GUVC-T1xGD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio di alluminio |
Lunghezza d'onda
220-280 nm
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Output
Corrente
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Package
TO-46
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Tipologia
AlGaN Photodiodes
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GVBL-T12GD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio indio |
Lunghezza d'onda
330-445 nm
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Output
Corrente
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Package
TO-46
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Tipologia
InGaN Photodiodes
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GVGR-T11GD Genicom - Fotodiodo UV al nitruro di gallio indio |
Lunghezza d'onda
295-505 nm
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Output
Corrente
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Package
TO-46
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Tipologia
InGaN Photodiodes
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Discontinued
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KED351CDL Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs High Power Infrared LED |
Package
ϕ3 ceramic, epoxy lens
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Tipologia
Infrared LEDs
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Chip Material
GaAIAs
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Half Angle (deg)
145
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Lunghezza D'onda (nm)
870
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Potenza di Uscita @If(mA)
20
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Potenza di Uscita (mW)
6
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Discontinued
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KED351RCD Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs Red LED |
Package
ϕ3 ceramic, epoxy lens
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Tipologia
Red LEDs
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Chip Material
GaAIAs
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Half Angle (deg)
160
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Lunghezza D'onda (nm)
660
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Potenza di Uscita @If(mA)
20
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Potenza di Uscita (mW)
3.2
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Discontinued
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KED501C Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAs Infrared LED |
Package
ϕ3 ceramic, epoxy lens
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Tipologia
Infrared LEDs
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Chip Material
GaAs
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Half Angle (deg)
170
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Lunghezza D'onda (nm)
950
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Potenza di Uscita @If(mA)
40
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Potenza di Uscita (mW)
4.5
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Discontinued
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KED602C Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Infrared LED |
Package
ϕ3 ceramic, epoxy lens
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Tipologia
Infrared LEDs
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Chip Material
GaAIAs
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Half Angle (deg)
110
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Lunghezza D'onda (nm)
890
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Potenza di Uscita @If(mA)
40
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Potenza di Uscita (mW)
6
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Discontinued
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KPD1201C Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi |
Package
ϕ3 ceramic, epoxy lens
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Tipologia
Silicon Photodiodes
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Half Angle (deg)
145
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Peak sens. wavelenght (nm)
880
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Sensitive Area (mm)
0.92 x 0.92
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Short circuit current (µA)
12
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Short circuit current (lx)
1000
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